Krafthalvlederdriverkrets er en viktig underkategori av integrerte kretser, kraftig, brukt for IGBT-driver-ICer i tillegg til å gi stasjonsnivå og strøm, ofte med stasjonsbeskyttelsesfunksjoner, inkludert desaturasjonskortslutningsbeskyttelse, underspenningsavstenging, Miller-klemme, to-trinns avstenging , soft shutdown, SRC (slew rate control), etc. Produktene har også ulike nivåer av isolasjonsytelse.Imidlertid, som en integrert krets, bestemmer pakken det maksimale strømforbruket, driverens IC-utgangsstrøm kan være mer enn 10A i noen tilfeller, men kan fortsatt ikke møte drivbehovene til høystrøms IGBT-moduler, denne artikkelen vil diskutere IGBT-kjøringen nåværende og nåværende utvidelse.
Hvordan utvide driverstrømmen
Når drivstrømmen må økes, eller ved kjøring av IGBT-er med høy strøm og stor portkapasitans, er det nødvendig å utvide strømmen for driver-IC.
Bruker bipolare transistorer
Den mest typiske utformingen av IGBT-portdriver er å realisere strømutvidelse ved å bruke komplementær emitterfølger.Utgangsstrømmen til emitterfølgertransistoren bestemmes av DC-forsterkningen til transistoren hFE eller β og basisstrømmen IB, når strømmen som trengs for å drive IGBT er større enn IB*β, vil transistoren gå inn i det lineære arbeidsområdet og utgangen drivstrømmen er utilstrekkelig, da vil lade- og utladingshastigheten til IGBT-kondensatoren bli langsommere og IGBT-tapene øke.
Bruker MOSFET-er
MOSFET-er kan også brukes til strømutvidelse av driveren, kretsen er vanligvis sammensatt av PMOS + NMOS, men det logiske nivået til kretsstrukturen er det motsatte av transistorens push-pull.Utformingen av det øvre rørets PMOS-kilde er koblet til den positive strømforsyningen, porten er lavere enn kilden til en gitt spenning PMOS på, og driverens IC-utgang er generelt på høyt nivå, så bruken av PMOS + NMOS-struktur kan kreve en inverter i designet.
Med bipolare transistorer eller MOSFETs?
(1) Effektivitetsforskjeller, vanligvis i høyeffektapplikasjoner, er svitsjefrekvensen ikke veldig høy, så ledningstapet er det viktigste når transistoren har fordelen.Mange nåværende design med høy effekttetthet, for eksempel motordrev for elektriske kjøretøy, hvor varmeavledning er vanskelig og temperaturene er høye i det innelukkede kabinettet, når effektivitet er veldig viktig og transistorkretser kan velges.
(2) Utgangen fra den bipolare transistorløsningen har et spenningsfall forårsaket av VCE(sat), forsyningsspenningen må økes for å kompensere for drivrøret VCE(sat) for å oppnå en drivspenning på 15V, mens MOSFET-løsningen kan nesten oppnå en skinne-til-skinne utgang.
(3) MOSFET tåler spenning, VGS kun ca. 20V, som kan være et problem som trenger oppmerksomhet ved bruk av positive og negative strømforsyninger.
(4) MOSFET-er har en negativ temperaturkoeffisient på Rds(on), mens bipolare transistorer har en positiv temperaturkoeffisient, og MOSFET-er har et termisk runaway-problem når de kobles parallelt.
(5) Hvis du driver Si/SiC MOSFET-er, er svitsjhastigheten til bipolare transistorer vanligvis lavere enn MOSFET-ene for drivobjektet, som bør vurderes å bruke MOSFET-er for å utvide strømmen.
(6) Robustheten til inngangstrinnet til ESD og overspenning, bipolar transistor PN-overgang har en betydelig fordel sammenlignet med MOS-gateoksid.
Bipolare transistorer og MOSFET-karakteristikk er ikke det samme, hva du skal bruke eller du må bestemme selv i henhold til kravene til systemdesign.
Raske fakta om NeoDen
① Etablert i 2010, 200+ ansatte, 8000+ kvm.fabrikk.
② NeoDen-produkter: Smart-serien PNP-maskin, NeoDen K1830, NeoDen4, NeoDen3V, NeoDen7, NeoDen6, TM220A, TM240A, TM245P, reflow-ovn IN6, IN12, Loddepasta-skriver FP2040, PM3040.
③ Vellykkede 10000+ kunder over hele verden.
④ 30+ globale agenter dekket i Asia, Europa, Amerika, Oseania og Afrika.
⑤ FoU-senter: 3 FoU-avdelinger med 25+ profesjonelle FoU-ingeniører.
⑥ Oppført med CE og fikk 50+ patenter.
⑦ 30+ ingeniører for kvalitetskontroll og teknisk støtte, 15+ senior internasjonalt salg, rettidig kundesvar innen 8 timer, profesjonelle løsninger gir innen 24 timer.
Innleggstid: 17. mai 2022